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BUP307D


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ -
der BUP307D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 35A, Anwend: Universaltyp, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu BUP307D
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-3P
BUP307D Datenblatt (jpg):-
BUP307D Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:BUP314D
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

BUP307D


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UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
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UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
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Ähnliche Typen:BUP314D
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BUP314D


SI N-IGBT Transistor
similar to BUP307D, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 42A
Ptot 310W
TON/TOFF 140/465nS
TJ -
der BUP314D ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 42A, Anwend: Universaltyp, integrierte Diode
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BUP314D
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-3P
BUP314D Datenblatt (jpg):-
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Ähnlicher Typ: BUP314D
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Ähnlicher Typ: BUP314D
OEM:Siemens AG
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